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ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型<span style='color:red'>MOSFET</span>，80mΩ低电阻与高载流能力优异

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ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异

　　01 产品简介　　DMB16C20A是ARK(方舟微)推出的一款高压、低导通电阻、大电流的耗尽型MOSFET，具有常通特性。该产品采用TO-263封装，具有高功率耗散，连续功耗可达230W。因产品的亚阈值特性及高载流能力，其广泛应用于大电流场景的过流保护及浪涌抑制。　　02 产品特性　　· 低导通电阻：导通电阻仅80mΩ　　· 高载流能力：饱和电流达16A以上，适用于大电流应用　　· 高功率耗散：连续功耗可达230W　　· 完美替代：IXYS-IXTT16N20D2　　03 应用领域　　· 保护电路、抑制浪涌电流　　· 音频放大器　　· 恒流源　　· 斜坡发生器　　· 电流调节器　　· 常闭开关　　04 典型应用电路及原理　　DMB16C20A可作为常通开关对电容电荷进行泄放，当需要断开时使用负电荷泵或者光MOS驱动器给栅极提供负电压，超过阈值电压即可关闭。　　如图2所示为DMB16C20A的典型应用，仅使用2颗耗尽型MOSFET+电阻R构成双向保护电路，就能限制流过负载回路的电流大小，还可有效抑制电路浪涌，为负载回路提供过流保护。电路可通过的最大电流IOUT(Max.)与DMB16C20A的阈值电压VGS(OFF)及R的阻值相关，IOUT(Max.)≈|VGS(OFF)|/R。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单、成本低。　　05 DMB16C20A的典型应用方案　　Ø 电子雷管电容电荷泄放电路的应用　　电子雷管控制电路由充电电路、起爆电路和放电电路组成，其工作原理如下：　　充电电路：通过电容(C)储存能量，为电子雷管起爆提供瞬时大电流。通过控制器驱动PMOS管Q1实现电容充电开关控制，由电容C实现充电储能。　　起爆电路：将电容储存的能量瞬间释放，引爆雷管。核心部件为NMOS管Q3，通过点火指令驱动NMOS管Q3导通。　　泄电电路：泄放电容电荷，防止静电积累引发误触发。主要由光MOS驱动及耗尽型MOS管组成常闭继电器，断电时耗尽型MOS管开通，自动泄电，防止电容C静电积累。　　Ø 半导体测试设备应用　　在一些应用中，采用自恢复保险丝作为过流浪涌抑制保护，当后级电路出现损坏或短路，该保护电路不能立刻断开电源，需要等待自恢复保险丝升温，直到电阻足够大时才断开接触，起到保护作用。在此期间电路的过载电流还会持续对电路产生破坏。通过DMB16C20A构成的过流保护电路，其过流保护反应灵敏，反应时间短，能够快速过滤浪涌电压和电流以防止过载电流对电路的损坏。

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ARK

发布时间：2026-01-16 15:11 阅读量：228 继续阅读>>

火热报名中！罗姆车载应用端的低压<span style='color:red'>MOSFET</span>和高压IGBT

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火热报名中！罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT

　　罗姆的产品体系丰富全面，涵盖小信号、低压及高压MOSFET等多种类型，能够精准匹配并满足不同市场的多样化需求，其应用场景广泛，涉及工控、光伏以及车载等关键领域。　　本次将重点为大家介绍罗姆专为汽车应用打造的低压MOSFET与高压IGBT产品。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　- MOSFET系列产品　　1. 封装技术发展及介绍　　2. 产品阵容及封装优势　　3. 全球化生产及产能布局　　- IGBT系列产品　　1. 产品发展路线图　　2. 产品阵容及封装优势　　二、研讨会主题　　车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT　　三、研讨会时间　　2026年1月21日上午10点　　四、研讨会讲师倪敏(高级经理)　　2010年加入罗姆，现任罗姆半导体(上海)有限公司中国技术中心高级经理。统管中国华东区车载功率器件的技术支持团队。　　多年来负责中国区大客户的技术支持和应用解决方案提供，并在车载市场，有着丰富经验。特别对功率器件相关行业有深入了解和独特见解，曾多次在各种电子行业大型展会以及专业技术研讨会上发表技术报告。2021年6月Bodo's功率系统封面故事中发表《Hybrid IGBT在图腾柱PFC中的应用》。　　相关产品页面：　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/d55b1db91ee7385d739f4192ec1a0b1e/mid/858　　· 实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/6aa5e3445235ef744f85ce2c43ff6290/mid/858　　· MOSFET产品列表：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/93367cfdb506c0187bbd05b16b1f2f69/mid/858　　· IGBT产品列表：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/fb4747ae60a02064853d185b8304a15e/mid/858　　相关产品资料　　面向车载应用的产品目录:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/3a8104a096ca6d2a3921557a3300518a.pdf　　晶体管的种类和特征:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240710/153c68e9e5a02025c88252f3c3516b00.pdf　　罗姆功率半导体产品概要:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250122/b6f2be0a6c2155a4e0d393fef33533cc.pdf

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罗姆

发布时间：2026-01-08 15:35 阅读量：298 继续阅读>>

技术干货丨使用瑞萨REXFET <span style='color:red'>MOSFET</span>降低RDS（on）

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技术干货丨使用瑞萨REXFET MOSFET降低RDS（on）

　　用于大电流应用的MOSFET的核心技术挑战在于，在保持优异开关性能的同时，实现低导通电阻。随着现代电源采用基于PWM的系统和更高的开关频率，最大限度地减少导通损耗和开关损耗变得至关重要。　　为应对这一挑战，瑞萨电子的REXFET-1工艺采用分离栅结构，并在此前专注于P柱实现的ANM1/ANM2超结技术基础上进一步提升，以实现：　　• RON指数改善至0.24(与前几代的0.36相比)　　• 超低导通电阻，可降低导通损耗并降低散热　　• 以小型封装实现高功率密度　　• 降低栅极电荷(QG)和栅极电容，优化开关特性　　结合多线键合(multi-wire)和夹片键合(clip bonding)等先进封装技术，REXFET-1器件在实现低导通电阻和高速开关的同时，满足严格的汽车可靠性标准。　　此外，我们采用融合多年经验的坚固设计，确保产品具有高度可靠性和耐用性，使设计人员能够放心使用。我们专门为电池管理系统(BMS)和电机应用设计了80V至150V的REXFET-1系列产品。瑞萨电子MOSFET技术的发展　　REXFET-1平台的开发是瑞萨电子在推进功率MOSFET技术方面悠久历史的一部分。从1979年日立推出首款垂直型MOSFET开始，瑞萨电子始终引领行业创新，包括在2003年推出首款用于英特尔芯片组的DrMOS。在接下来的几十年中，超结技术、用于智能手机的倒装芯片封装以及铜夹结构等创新进一步提升了效率和功率密度。瑞萨电子功率MOSFET的发展历程　　REXFET-1系统级性能　　BLDC电机控制在工业和汽车应用中都非常普遍。为了验证REXFET-1在实际应用中的性能，瑞萨电子在BLDC电机驱动系统中评估了采用TOLL封装的100V和150V产品。我们还将REXFET-1 100V RBA300N10EANS-3UA02(工规版RBE015N10R1SZQ4)和150V RBA190N15YANS-3UA04(工规版RBE039N15R1SZQ4)的性能与市场上的主要器件进行了性能对比。　　REXFET-1与竞品器件在最高60A条件下进行了测试，并比较了平均结温。在10kHz和20kHz开关频率下，结温结果保持与最佳竞品器件相当的水平。　　REXFET-1器件在相同系统条件下表现出较低的电压振荡和尖峰。在电机控制应用中，较高的振荡和电压尖峰可能导致系统可靠性问题，并产生较高的电磁干扰(EMI)。REXFET-1器件始终表现出具有竞争力的效率、热稳定性和抗EMI能力。100V REXFET-1导通波形比较　　我们丰富的REXFET-1产品组合代表了功率MOSFET技术的重大进步。凭借分离栅晶圆工艺和先进的封装技术，REXFET-1器件能够实现：　　•与前几代沟槽工艺相比，RSP降低30%　　•卓越的导通损耗与开关损耗平衡　　•丰富的封装选项(3x3、5x6、TOLL、TOLG、TOLT)，以满足多样化的系统需求。　　这些创新使设计人员能够在电机驱动、BMS以及其他要求苛刻的应用中实现更高的效率、更大的功率密度和更高的系统可靠性。

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瑞萨

发布时间：2025-12-31 17:01 阅读量：357 继续阅读>>

ROHM车载40V/60V <span style='color:red'>MOSFET</span>产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

　　2025年12月18日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。　　新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚*1，还提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合*2技术，还能支持大电流。　　采用本封装的产品已于2025年11月起陆续投入量产(样品单价500日元/个，不含税)。新产品已经开始通过电商进行销售。　　未来，ROHM将不断扩展该封装产品的机型，并计划于2026年2月左右将采用可润湿侧翼成型技术*3的更小型DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装产品投入量产。　　另外，ROHM已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm)，致力于进一步扩充大功率、高可靠性封装的产品阵容。　　<开发背景>　　近年来，车载低耐压MOSFET正在加速向可实现小型化的5050级以及更小尺寸的封装形式转变。然而，这些小型封装因引脚间距狭窄和无引脚结构，使确保其安装可靠性成为一大难题。ROHM针对这类课题，通过在产品阵容中新增同时满足安装可靠性和小型化两方面需求的新封装产品，来满足车载市场多样化的需求。　　<应用示例>　　主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　“EcoMOS™”是ROHM Co.，Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1) 鸥翼型引脚　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。　　*2)铜夹片键合　　替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用铜制夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。　　*3)可润湿侧翼成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。

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发布时间：2025-12-18 16:55 阅读量：425 继续阅读>>

电源芯片或<span style='color:red'>MOSFET</span>严重发烫可能是什么原因？如何解决

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电源芯片或MOSFET严重发烫可能是什么原因？如何解决

　　在电子设备中，电源芯片和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为关键元件，起着调节电压、电流和功率管理的重要作用。然而，当电源芯片或MOSFET出现严重发烫时，可能会引起设备故障、降低性能甚至造成损坏。本文将探讨电源芯片或MOSFET严重发烫的可能原因，并提供解决方法。　　1. 原因分析　　1.1 高负载工作　　原因：过大的电流负载可能导致电源芯片或MOSFET处于超负荷工作状态，加剧其内部损耗，进而引起发热问题。　　解决方法：优化设计，确保合理匹配负载和芯片功率，减少负载电流，避免超负荷运行。　　1.2 过电压或过电流　　原因：过电压或过电流情况下，电源芯片或MOSFET容易受到损害，产生异常发热。　　解决方法：添加保护电路，如过电压保护、过电流保护等，及时切断电路以保护元件免受损伤。　　1.3 散热不良　　原因：不良的散热设计或散热器失效可能导致电源芯片或MOSFET无法有效散热，从而产生过热现象。　　解决方法：改进散热设计，增加散热面积、使用更高效的散热器或风扇，确保元件能够有效散热。　　1.4 环境温度过高　　原因：工作环境温度过高会影响元件的散热效果，使电源芯片或MOSFET更容易发热。　　解决方法：优化设备安装位置、通风条件，降低工作环境温度，提高散热效率。　　1.5 质量问题或老化　　原因：电源芯片或MOSFET本身质量问题或长期使用导致老化也可能引起发热异常。　　解决方法：定期检查维护电路元件，避免使用劣质元件，及时更换老化严重的电源芯片或MOSFET。　　2. 解决方案　　2.1 合理设计　　根据实际需求选择符合要求的电源芯片或MOSFET。　　合理布局电路板，减少热量堆积区域，优化电路连接方式。　　2.2 添加保护电路　　安装过电压保护、过电流保护等保护电路，预防突发情况给电源芯片或MOSFET带来损害。　　2.3 改善散热　　使用高导热材料，如铜制散热片或热管，提高散热效率。　　添加风扇或风道，增加空气流通量，帮助散热。　　2.4 优化工作环境　　控制工作环境温度，避免高温环境下长时间运行。　　确保设备安装位置通风良好，不受阻碍。　　2.5 定期检查和维护　　定期检查电源芯片或MOSFET是否正常工作，有无明显损伤或老化迹象。　　及时更换质量问题或老化严重的元件，确保设备正常运行。　　电源芯片或MOSFET严重发烫可能会对设备稳定性和寿命造成影响，通过合理设计、添加保护电路、改善散热、优化工作环境以及定期检查维护，可以有效预防和解决电源芯片或MOSFET发热问题，确保设备运行稳定可靠。

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电源芯片

发布时间：2025-12-18 15:31 阅读量：369 继续阅读>>

鲁光LGE3M35120Q碳化硅<span style='color:red'>MOSFET</span>

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鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET

　　在追求高效、高功率密度与高可靠性的现代电力电子领域，碳化硅MOSFET正成为推动技术革新的关键力量。鲁光电子推出的 LGE3M35120Q，是一款采用TO-247-4封装的高性能1200V碳化硅MOSFET，凭借其优异的电气性能，正广泛应用于新能源、可再生能源发电及高端工业电源等前沿领域，成为国产功率半导体自主化进程中的一颗关键器件。　　性能优势　　1.高速开关: 得益于碳化硅材料和四引脚封装，开关损耗显著低于传统硅基IGBT和Si MOSFET。　　2.高效运行: 低导通电阻与低开关损耗相结合，可提升系统整体效率，尤其在频繁开关的应用中。　　3.易于驱动: 与硅基MOSFET兼容的驱动电压，简化了电路设计。　　4.高温工作能力: 碳化硅器件本身具备更高的工作结温能力，可靠性更强。　　二、特性曲线　　三、关键应用领域　　基于上述卓越性能，LGE3M35120Q在多类高效率、高密度功率转换场景中发挥着核心作用：　　1. 新能源与充电设施　　1.1 OBC与 DC-DC 转换器：利用其高频优势，可缩小OBC内的变压器和滤波器体积，实现更轻量化的电源系统。　　1.2充电桩(直流快充桩)：作为直流充电模块的核心开关元件，其高效率特性有助于减少充电过程中的能量损耗和散热需求，提升充电桩的功率密度与可靠性。　　2. 可再生能源发电系统　　2.1光伏逆变器与储能变流器(PCS)：在太阳能逆变器中，碳化硅 MOSFET能够降低开关损耗，提升整机效率。同样，它也适用于储能系统的双向DC-AC或DC-DC转换。　　2.2 风力发电变流器：有助于应对风力发电不稳定的输入特性，提高电能转换效率和质量。　　3. 工业与通信电源　　3.1服务器电源与通信电源：为数据中心和5G基站提供高效、高功率密度的AC/DC或DC/DC电源解决方案。　　3.2不间断电源(UPS)：提升UPS的转换效率，降低运行能耗和散热成本，对于大型数据中心和工业备用电源系统意义重大。　　3.3电机驱动与电焊机：可用于高性能伺服驱动和工业焊接电源，实现更精确的控制和更高的能效。　　四、总结　　鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET以其高耐压、低损耗、高工作频率和高温运行能力，完美契合了现代电力电子系统对高效率与高功率密度的双重追求。它的成熟应用，提供了优秀的国产器件选择。

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鲁光

发布时间：2025-12-17 15:32 阅读量：347 继续阅读>>

Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结<span style='color:red'>MOSFET</span>

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Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结MOSFET

　　Littelfuse宣布推出MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200V、480A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低，仅为1.99mΩ，可在功率密集型设计中实现卓越的导通效率、简化热管理并提高系统可靠性。　　MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔离SMPD-X封装，配备顶部散热结构以实现最佳热管理。与最先进的现有X4级MOSFET解决方案相比，该器件提供高达2倍的额定电流和低63%的RDS(on)，使工程师能够将多个并联的低电流器件整合到单一的高电流解决方案中。　　功能与特色：　　· 200V阻断电压，1.99mΩ超低RDS(on)，可将传导损耗降至最低;　　· 高电流能力 (ID=480A) 减少了所需并联器件的数量;　　· 紧凑型SMPD-X隔离封装，具有2500V隔离和改进的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) ;　　· 低栅极电荷 (Qg=535nC) 降低了栅极驱动功率要求;· 采用顶部冷却式封装，简化热管理。　　这些特性共同实现了更高的功率密度、更少的元件数量以及更简便的组装流程，有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系统设计。　　应用：　　该MMIX1T500N20X4非常适合：　　· 直流负载开关;· 电池储能系统;　　· 工业和过程电源;　　· 工业充电基础设施;· 无人机和垂直起降飞行器 (VTOL) 平台。　　“新款器件使设计人员能够将多个并联的低电流器件整合到一个高电流器件中，从而简化设计并减少元件数量。”Littelfuse产品营销分析师Antonio Quijano介绍道，“这有助于提高系统可靠性，简化栅极驱动器的实施，同时提高功率密度和PCB空间利用率。”　　常见问答 (FAQ)　　1. 与现有解决方案相比，MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系统效率?　　MMIX1T500N20X4提供1.99mΩ的超低RDS(on)，额定电流为480A，可减少传导损耗和发热。用单个器件取代多个并联MOSFET，可简化设计、减少元件数量并提升整体系统效率。　　2. 这款MOSFET最适合哪些应用场景?　　该MOSFET非常适合对效率和可靠性要求严苛的大电流、中低压系统。典型应用包括直流负载开关、电池储能、工业电源、充电基础设施以及无人机或垂直起降飞行器的电力电子设备。　　3. SMPD-X设计在散热和封装方面具有哪些优势?　　高性能陶瓷基SMPD-X封装具有出色的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) 和2500VRMS隔离性能，可实现更高的功率密度和更安全的操作。其顶部冷却设计简化了热管理，减小了系统尺寸，并增强了长期可靠性。

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发布时间：2025-12-15 14:56 阅读量：727 继续阅读>>

ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型<span style='color:red'>MOSFET</span>抑制浪涌电流

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ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流

　　在单极可控硅调光LED驱动电路中，由于没有bulk电容的储能，当调光器启动时或可控硅前沿调光切相时，会产生大量浪涌电流，如图1。　　浪涌电流或尖脉冲电流是有害的，可能会使调光失败甚至损坏调光器。抑制浪涌电流有以下几种方法。　　采用功率电阻　　如图2，采用功率电阻R1来抑制浪涌电流是最简单的方式。功率电阻抑制了浪涌电流，但同时对反激电路输入电流也造成了限制。并且功率电阻(通常10Ω)的功率损耗较高，导致电路效率降低。即便功率电阻为100Ω，峰值电流仍然超过2.0A。　　采用有源阻尼电路　　抑制浪涌电流另一种方法是采用有源阻尼电路，如图3。采用有源阻尼电路在大幅度地降低尖峰电流的同时，还可以大幅减少功率损耗。　　当调光器启动时，MOSFET Q4还处于关断状态，电流从电阻R1流过，因此能够有效地控制浪涌电流。当尖峰电流过后，Q4导通，电流从Q4通过，由于Q4具有非常低的导通电阻，因此电路的损耗非常低。这种方式的优点是不仅有效地抑制了浪涌电流，同时也具有很低的功率损耗。不足点是电路较为复杂并且成本高。　　采用耗尽型MOSFET　　一个更简单且成本更低廉的抑制浪涌电流的方法是使用耗尽型MOSFET Q4，如图4。Q4与电阻R1串联。当调光器启动时，产生浪涌电流，由于流经电阻R1的电流增大，这使Q4的栅极到源极的电压VGS变大，Q4的导电沟道变窄从而起到抑制浪涌电流的作用。浪涌电流过后，Q4的VGS变小使导电沟道变宽。由于Q4具有较低的VGS(OFF)值以及非常小的RDS(ON)，同时串联电阻R1的电阻也非常小，因此电路功率损耗非常小。　　由于电流值ID由耗尽型MOSFET Q4和串联电阻R1共同决定。当选定了耗尽型MOSFET的型号后，串联电阻R1的大小就非常重要，式(1)给出了计算串联电阻方法：　　式中，R为串联电阻R1的电阻值;VGS(OFF)为耗尽型MOSFET的阈值电压;ID为流过耗尽型MOSFET漏-源极的电流;IDSS为当栅极电压为0V时耗尽型MOSFET漏-源极的饱和电流。　　ARK(方舟微)提供的低阈值电压的耗尽型功率MOSFET DMD4523E，为高效抑制浪涌电流提供了解决之道。DMD4523E耗尽型MOSFET，产品击穿电压BVDSX超过450V，导通电阻RDS(ON)最大值仅2Ω，阈值电压VGS(OFF)为-4V～-1.7V，是抑制浪涌电流应用的首选产品。

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发布时间：2025-11-17 14:19 阅读量：471 继续阅读>>

ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸<span style='color:red'>MOSFET</span>

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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

　　2025年11月11日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1 范围的100V 耐压功率MOSFET“RS7P200BM” 。该款产品采用5060 尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。　　新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。本产品已经开始通过电商进行销售，可咨询AMEYA360客服。　　未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。　　开发背景　　随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。　　ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。　　应用示例　　48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路　　48V系统工业设备电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　AGV(自动引导车)等电池驱动的工业设备　　UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　关于EcoMOS™品牌　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　术语解说　　*1) SOA(Safe Operating Area)　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3) 导通电阻(RDS(on))　　MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*4)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。

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发布时间：2025-11-11 17:42 阅读量：592 继续阅读>>

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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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ROHM

发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：581 继续阅读>>

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RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
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TPS63050YFFR	Texas Instruments
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IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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